Экспресс-информация по зарубежной электронной технике

Экспресс-информация по зарубежной электронной технике №2/2017

Описание:

Предлагаем вашему вниманию электронный аналитический журнал «Экспресс-информация по зарубежной электронной технике», выпуск 2 от 26 января 2017 г. На его страницах вы найдете информацию о самых значимых последних достижениях и новых направлениях развития.


Содержание
  • IEDM‑2016: Перспективы масштабирования технологии FinFET до топологий порядка 7, 5 и 3 нм
    Ключевые слова: FinFET, издержки производства 
  • IEDM‑2016: Освоение технологии магниторезистивной памяти на эффекте вращения спина (STT-MRAM)
    Ключевые слова: магниторезистивная память (MRAM/STT-MRAM), термовакуумное осаждение, травление
  • IEDM‑2016: Разработки перспективных материалов, превосходящих по эксплуатационным характеристикам графен, для следующего поколения транзисторов и электроники – дихалькогенидов на переходных металлах
    Ключевые слова: нанополотна, нанопроводные структуры, дихалькогениды на переходных металлах
  • Исследование системы редактирования генома CRISPR/Cas 9
    Ключевые слова: бактериофаг, вирусные заболевания, геном, ДНК, иммунная система, РНК

Оставить комментарий

Рекомендуем другие наши издания