Новости отрасли

«Швабе» завершил второй этап модернизации линии гальваники

опубликованно: 10.10.2017 13:59:00

Новосибирский приборостроительный завод закупил новое гальваническое оборудование

В Новосибирске на производственной площадке холдинга «Швабе» Госкорпорации Ростех внедрено новое гальваническое оборудование. Его запуск позволил на 17% повысить качество проводимых операций по нанесению покрытий.

Новосибирский приборостроительный завод (НПЗ), входящий в состав холдинга «Швабе», закупил вентиляционную фильтрационную систему для линии цинкования, а также оборудование для снятия ржавчины. Оно установлено в отделочном подразделении в рамках реализации программы технического перевооружения завода на 2017 год.

«К модернизации гальванического участка мы приступили в прошлом году. Тогда была закуплена линия цинкования. Благодаря данному оборудованию, которое автоматически обрабатывает детали продукции по заданной программе, наше предприятие на 17% повысило качество проводимых операций по нанесению покрытий и производительность труда», – рассказал генеральный директор НПЗ Василий Рассохин.

Как сообщили в пресс-службе холдинга, в 2018 году на заводе начнется реализация третьего этапа модернизации линии гальваники. Производственную площадку планируется оснастить выпрямителями, ваннами для снятия окислов и хромирования, а также локальными очистными сооружениями. Закупка данного оборудования позволит НПЗ в два раза увеличить производительность линии цинкования и почти на треть снизить количество вредных выбросов.

Процедуры цинкования и хромирования обеспечивают надежную защиту металлических деталей, применяющихся при изготовлении прицелов, приборов наблюдения и других изделий НПЗ, от коррозии и окисления.

Источник: Ростех


  • Поделиться новостью:

Комментарии

Оставить комментарий

все Новости

27.09.2021 12:45:00
Интервью с доктором физико-математических наук, профессором кафедры квантовой электроники и научным руководителем
27.09.2021 12:37:38
Интервью с д.т.н., профессором Н.А. Шелепиным о развитии технологий и компонентов микро- и наноэлектроники.